半導體等離子去膠機是半導體制造工藝中的關(guān)鍵設(shè)備，主要用于去除光刻膠、殘留物或污染物。它利用等離子體的高能特性，通過物理或化學作用實現(xiàn)高效、精準的去膠和表面處理。

　　一、半導體等離子去膠機核心功能與原理：

　　1.核心功能：

　　去膠：去除光刻工藝后殘留的光刻膠（正膠或負膠）。

　　表面清潔：清除晶圓表面的有機物、氧化物或顆粒污染物。

　　表面活化：增強晶圓表面活性，提高后續(xù)工藝（如鍍膜、鍵合）的附著力。

　　蝕刻：選擇性去除特定材料（如氧化層），用于精細圖形處理。

　　2.工作原理：

　　通過等離子體（由氣體電離產(chǎn)生的高能離子和自由基）與光刻膠或污染物發(fā)生化學反應(yīng)或物理轟擊，實現(xiàn)材料去除。

　　常見氣體包括氧氣、氟化氣體、氬氣等，根據(jù)工藝需求選擇。

　　二、半導體等離子去膠機行業(yè)應(yīng)用場景：

　　1.半導體制造：

　　光刻工藝后清洗：去除光刻膠殘留，避免影響后續(xù)刻蝕或沉積工藝。

　　先進封裝：在3D封裝、TSV（硅通孔）等工藝中，用于清潔芯片表面或去除臨時鍵合膠。

　　MEMS制造：去除光刻膠和釋放微結(jié)構(gòu)（如諧振器、傳感器）。

　　2.集成電路（IC）生產(chǎn)：

　　在晶圓減薄、切割前清潔表面，防止污染。

　　在金屬線鍵合前處理焊盤表面，提高鍵合強度。

　　3.LED與光電器件：

　　去除LED芯片表面的光刻膠或熒光粉殘留。

　　清潔光伏電池表面，提升光電轉(zhuǎn)換效率。

　　4.功率器件與第三代半導體：

　　用于碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導體的表面處理，去除高粘性光刻膠。

　　在IGBT、MOSFET等功率器件制造中，清潔金屬層或介質(zhì)層。

　　5.先進封裝技術(shù)：

　　在扇出型封裝（Fan-out）、系統(tǒng)級封裝（SiP）中，用于去除臨時鍵合膠或清潔RDL（重布線層）。

　　6.科研與新材料領(lǐng)域：

　　在納米材料、石墨烯等新型材料的制備中，用于表面清潔或圖形化處理。

　　支持高校、研究所的微納加工實驗。